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高溫四探針測(cè)試儀的應(yīng)用
高溫四探針電阻測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)量材料在高溫環(huán)境下電阻率/方阻的精密設(shè)備,其應(yīng)用場(chǎng)景主要集中在需要高溫、高精度電阻測(cè)量的領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景:1.半導(dǎo)體材料與器件半導(dǎo)體晶圓測(cè)試:測(cè)量硅片、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體...
2025-07-09 -
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
實(shí)驗(yàn)?zāi)康?了解多種測(cè)量介電常數(shù)的方法及其特點(diǎn)和適用范圍,掌握替代法,比較法和諧振法測(cè)固體電介質(zhì)介電常數(shù)的原理和方法,用自己設(shè)計(jì)與制作的介電常數(shù)測(cè)試儀,測(cè)量壓電陶瓷的介電常數(shù)。實(shí)驗(yàn)原理:介電體(又稱電介質(zhì))zui基本的物理性質(zhì)是它的介電性,對(duì)...
2014-09-19 -
電壓擊穿試驗(yàn)儀判斷方式
在電擊穿的同時(shí),回路中電流增加和試樣兩端電壓下降,電流的增加可使斷路器跳開或熔絲燒斷,但有時(shí)也可由于閃絡(luò)、試驗(yàn)充電電流、漏電或局部放電電流、設(shè)備磁化電流或誤動(dòng)作而引起斷路器跳開.因此,斷路器應(yīng)與試驗(yàn)設(shè)備及被試材料的特性相匹配,否則,斷路器可...
2014-09-19 -
電壓擊穿試驗(yàn)儀擊穿的判斷(體積表面電阻率測(cè)試儀)
在電擊穿的同時(shí),回路中電流增加和試樣兩端電壓下降,電流的增加可使斷路器跳開或熔絲燒斷,但有時(shí)也可由于閃絡(luò)、試驗(yàn)充電電流、漏電或局部放電電流、設(shè)備磁化電流或誤動(dòng)作而引起斷路器跳開.因此,斷路器應(yīng)與試驗(yàn)設(shè)備及被試材料的特性相匹配,否則,斷路器可...
2014-09-17 -
電壓擊穿試驗(yàn)儀(體積表面電阻率測(cè)試儀)
滿足標(biāo)準(zhǔn):GB1408-2006GB/T1695-2005GB/T3333HG/T3330/GB12656/ASTMD149.一、概述BDJC-50KV電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制,通過人機(jī)對(duì)話方式,完成對(duì)絕緣介質(zhì)材料的工頻電壓擊穿,工頻耐...
2014-09-12 -
介電常數(shù)測(cè)試儀(電壓擊穿試驗(yàn)儀)
介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率測(cè)試儀的詳細(xì)描述:電:/介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法概述A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別...
2014-09-10 -
電壓擊穿試驗(yàn)儀(詳細(xì)解譯)體積電阻率測(cè)試儀
為方便客戶的選購(gòu)我公司特意提供以下資料附件:電壓擊穿試驗(yàn)儀由以下部分組成:1、升壓部件:由調(diào)壓器和高壓變壓器組成0~100KV的升壓部分。2、動(dòng)部件:由步進(jìn)電機(jī)均勻調(diào)節(jié)調(diào)壓器使加給高壓變壓器的電壓變化。3、檢測(cè)部件:由集成電路組成的測(cè)量電路...
2014-09-05 -
TOC總有機(jī)碳分析儀(電壓擊穿試驗(yàn)儀)
零點(diǎn)校準(zhǔn)儀器校準(zhǔn)的目的是為了減小傳感器的零點(diǎn)漂移,并對(duì)其測(cè)試曲線進(jìn)行修訂,對(duì)于保證儀器測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性有非常重要的意義。校準(zhǔn)周期可以根據(jù)具體使用情況而定,建議更換紫外燈或儀器使用半年以后校準(zhǔn)一次。出現(xiàn)數(shù)據(jù)分析的結(jié)果偏差較大時(shí),也可進(jìn)行校驗(yàn)。...
2014-09-04